Shematic.net

Високостабільне джерело зразкової напруги

Експериментальні дослідження схеми високостабільного джерела зразкової напруги (рис.1) в діапазоні температур від 18° С до 50° С показали, що температурна похибка не перевищує ± 0.001% /°С, часовий дрейф не більше ± 0.005 % за добу. Джерело має невеликий температурний гістерезис (рис.2).

Рис .1 Схема високостабільного джерела зразкової напруги.

Рис. 2 Температурна характеристика джерела.

Для забезпечення високої стабільності в схемі використаний метод підігріву кристалу і відсліджування температури підігріву. Для досліду вибраний набір транзисторів типу 1НТ251, для яких . Транзистор Q2 служить для підігріву кристалу, а Q4 – датчиком температури. Стабілітрон D1 – Д818Е. Робочий режим забезпечується за час не більше 1 хв.

добавлено 23.07.07 19:13:07 | проглянуто 1991 раз